三星第五代内存良率不达标

三星第五代内存良率不达标

据韩国媒体ZDNetKorea报道，三星第五代10纳米级（1b）制程DRAM内存良率未达业界80%~90%的一般目标，这使得三星已于上个月开始，成立专门工作小组来进行解决。三星是在2023年5月宣布第五代10纳米级（1b）制程16GbDDR5内存开始量产，后又于2023年9月宣布第五代10纳米级（1b）制程的32GbDDR5内存开发成功。这代表着三星可在不使用TSV硅通孔技术的情况下，就能生产128GB容量的高密度DDR5RDIMM内存模组。相较于采用TSV硅通孔的3DSDIMM内存，这种不使用TSV硅通孔技术的内...