瞄准苹果下代设备订单,消息称三星电子正积极开发内存
7月18日消息,韩媒ZDNetKorea报道称,三星电子正积极开发LLWDRAM内存,为苹果VisionPro后的下一代头显订单做好准备。
LLWDRAM全称LowLatencyWideI/ODRAM,是一种高性能特殊内存,拥有数量众多的I/O引脚,具备高带宽低延迟低功耗的优势。
三星电子宣称,其LLWDRAM内存产品可实现128GB/s的带宽,同时能耗仅有1.2pJ/bit。
▲三星半导体展示的LLWDRAM内存结构概念
据IT之家此前报道,与苹果VisionPro头显上R1芯片配套的LLWDRAM内存由SK海力士独家供应,可提供256GB/s带宽。
该内存单颗容量为1GB,I/O引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前LPDDR5内存的64bit作为基础,那SK海力士提供的LLWDRAM内存位宽可达512bit。
▲SK海力士LLWDRAM内存结构。图源Yole
韩媒报道提到,苹果曾于2022年同三星电子就LLWDRAM供应进行过洽谈,但最终SK海力士得到了这份订单。
三星电子正积极开发LLWDRAM内存技术,瞄准苹果下代设备订单,消息称三星电子正积极开发内存目前正处于小规模生产阶段,目标未来从SK海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。
【来源:IT之家】
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